特許
J-GLOBAL ID：200903087034047441
細孔構造体及びその製造方法、メモリ装置及びその製造方法、吸着量分析装置、並びに磁気記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-356431
公開番号（公開出願番号）：特開2005-120421
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 下地導電層との密着性に優れ、表面の平坦性が向上した細孔構造体及びその製造方法、その細孔構造体を用いたメモリ装置及びその製造方法、吸着量分析装置、並びに磁気記録媒体を提供することに。【解決手段】 基板1の上に下地導電層2とAl-Hf合金層3(又は、Al-Hf合金層3とAl層との積層体)とを積層して形成する。下地導電層2には、Al-Hf合金層3に対する密着性が良い、Pt、Ir、Pd、Rh、Au、Ag、Ru、Cu、及びNiからなる単体或いは合金を用いる。次に、Al-Hf合金層3(又は、積層体)を酸水溶液中で陽極酸化してナノホール8を有するナノホール構造体を形成し、必要なら、エッチングによってナノホール8を拡幅加工する。次に、ナノホール中に、強誘電体材料、強磁性体材料、抵抗変化材料、相変化材料、及び蛍光体材料等の機能性材料10を充填することによって、種々の機能を有するナノホール構造体を作製する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アルミニウム-ハフニウム合金層が陽極酸化されて形成された複数の細孔構造からなる、細孔構造体。
IPC (14件)：
C25D11/04
, B82B1/00
, B82B3/00
, C25D11/16
, C25D11/18
, C25D11/20
, C25D11/24
, G01N5/02
, G01N27/04
, G11B5/65
, G11B5/855
, G11B7/24
, H01L27/10
, H01L27/105
C25D11/04 308
, C25D11/04 305
, B82B1/00
, B82B3/00
, C25D11/16
, C25D11/16 302
, C25D11/18 Z
, C25D11/18 308
, C25D11/20 302
, C25D11/24 302
, G01N5/02 A
, G01N27/04 Z
, G11B5/65
, G11B5/855
, G11B7/24 522R
, H01L27/10 451
, H01L27/10 444B
2G060AA08
, 2G060AD01
, 2G060AE40
, 2G060AF07
, 2G060GA03
, 2G060HD03
, 2G060JA07
, 2G060JA10
, 2G060KA09
, 5D006BB09
, 5D006CA03
, 5D006DA08
, 5D029JB33
, 5D029JB36
, 5D029KA23
, 5D029KB03
, 5D029KB15
, 5D112AA03
, 5D112AA04
, 5D112AA16
, 5D112AA18
, 5D112BD02
, 5D112EE02
, 5F083FR02
, 5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR05
