特許
J-GLOBAL ID：200903098456858703

細孔を有する構造体及びその製造方法

発明者：
田 透

田 透 について

, 
安居 伸浩

安居 伸浩 について

, 
斉藤 達也

斉藤 達也 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-134011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-025298
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：
【要約】【課題】 細孔(ナノホール)底部が下地の導電性金属層まで貫通した新規な構造体を提供する。【解決手段】 細孔を有する構造体であって、アルミナを含み構成される第1の層15、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、WあるいはSiの少なくとも一つを含有する第2の層13、及び導電性を有する第3の層12をこの順に有し、且つ該第1の層15及び第2の層13は細孔15を有している構造体。前記第1の層はアルミナナノホール層で、第3の層はCu、貴金属、Cuを含む合金、貴金属を含む合金、あるいは半導体材料で構成される。
請求項（抜粋）：
細孔を有する構造体であって、アルミナを含み構成される第1の層、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、WあるいはSiの少なくとも一つを含有する第2の層、及び導電性を有する第3の層をこの順に有し、且つ該第1及び第2の層は細孔を有していることを特徴とする細孔を有する構造体。
IPC (8件)：
B82B 1/00 ,  B81C 5/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/18 311 ,  C25D 11/26 ,  C25D 11/26 301 ,  C25D 11/26 302 ,  C25D 11/26 303
FI (8件)：
B82B 1/00 ,  B81C 5/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/18 311 ,  C25D 11/26 A ,  C25D 11/26 301 ,  C25D 11/26 302 ,  C25D 11/26 303
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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