特許
J-GLOBAL ID:200903098456858703
細孔を有する構造体及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 徳廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-134011
公開番号(公開出願番号):特開2003-025298
出願日: 2002年05月09日
公開日(公表日): 2003年01月29日
要約:
【要約】【課題】 細孔(ナノホール)底部が下地の導電性金属層まで貫通した新規な構造体を提供する。【解決手段】 細孔を有する構造体であって、アルミナを含み構成される第1の層15、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、WあるいはSiの少なくとも一つを含有する第2の層13、及び導電性を有する第3の層12をこの順に有し、且つ該第1の層15及び第2の層13は細孔15を有している構造体。前記第1の層はアルミナナノホール層で、第3の層はCu、貴金属、Cuを含む合金、貴金属を含む合金、あるいは半導体材料で構成される。
請求項(抜粋):
細孔を有する構造体であって、アルミナを含み構成される第1の層、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、WあるいはSiの少なくとも一つを含有する第2の層、及び導電性を有する第3の層をこの順に有し、且つ該第1及び第2の層は細孔を有していることを特徴とする細孔を有する構造体。
IPC (8件):
B82B 1/00
, B81C 5/00
, B82B 3/00
, C25D 11/18 311
, C25D 11/26
, C25D 11/26 301
, C25D 11/26 302
, C25D 11/26 303
FI (8件):
B82B 1/00
, B81C 5/00
, B82B 3/00
, C25D 11/18 311
, C25D 11/26 A
, C25D 11/26 301
, C25D 11/26 302
, C25D 11/26 303
引用特許:
審査官引用 (5件)
-
量子構造の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-207725
出願人:ソニー株式会社
-
ナノ構造体及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-276427
出願人:キヤノン株式会社
-
特開平2-057690
全件表示
前のページに戻る