特許
J-GLOBAL ID：200903087040413077

薄層を除去した後の多層構造を備えるウェハのリサイクル

発明者：
ブリュノ、ギスレン

ブリュノ、ギスレン について

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セシール、オルネット

セシール、オルネット について

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ベネディクト、オステルノー

ベネディクト、オステルノー について

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赤津 豪

赤津 豪 について

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イブ、マチュー、ルバイヤン

イブ、マチュー、ルバイヤン について


出願人/特許権者：
エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ

エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ について


代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  玉真 正美 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500316
公開番号（公開出願番号）：特表2006-518544
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
半導体材料から選ばれた材料を含む有用層を除去した後にドナーウェハ(10)をリサイクル方法であって、ドナーウェハ(10)は基板(1)と多層構造(I)とを順次に備え、除去前の多層構造(I)は除去すべき有用層を備え、そのプロセスは除去が行われた側での物質除去を含み、物質除去の後に多層構造(I’)の少なくとも部分が残り、このバッファ構造(I’)の少なくとも部分は除去することができる別の有用層を1つ以上含み、有用層を再形成する補足的段階をともなわないことを特徴とする。本書はまた:本発明による少なくとも1つのリサイクル可能ドナーウェハ(10)から薄層を除去する方法、本発明によるリサイクル可能ドナーウェハ(10)に関する。
請求項（抜粋）：
半導体材料から選択した材料を備える有用層を除去した後のドナーウェハ(10)のリサイクル方法であって、前記ドナーウェハ(10)は基板(1)と多層構造(I)とを連続して備え、前記多層構造(I)は、除去前に、除去すべき有用層を備え、そのプロセスは、除去が行われた側面上での物質除去を含み、物質除去の後には多層構造(I’)の少なくとも一部が残り、バッファ構造(I’)のこの少なくとも一部が除去することのできる別の有用層を1つ以上含み、有用層を再形成する補足的段階をともなわないことを特徴とする、ドナーウェハ(10)のリサイクル方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/02 B ,  H01L27/12 B
Fターム (45件)：
5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LM09 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN11 ,  5F152LN14 ,  5F152LN15 ,  5F152LN26 ,  5F152LN28 ,  5F152LN29 ,  5F152LN32 ,  5F152LN35 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM07 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN13 ,  5F152NN16 ,  5F152NP03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP05 ,  5F152NP06 ,  5F152NP08 ,  5F152NP09 ,  5F152NP10 ,  5F152NP13 ,  5F152NP24 ,  5F152NP30 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ08 ,  5F152NQ09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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