特許

J-GLOBAL ID：200903087047518044

突起電極の形成方法

発明者： 斎藤 信勝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186455
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は突起電極の形成位置近傍に樹脂を配設する工程を含む突起電極の形成方法に関し、信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】突起電極52が形成されるパッド部40を有したパッケージ32に、突起電極52の形成位置に位置決め開口部46が形成された樹脂マスク44を装着するマスク装着工程と、この樹脂マスク44を介してパッド部40にペースト48を配設するペースト配設工程と、前記樹脂マスク44を位置決めの基準として半田ボール50をペースト48上に配設する突起電極配設工程と、樹脂マスク44を装着した状態を維持しつつ加熱処理を行うことにより突起電極52をパッド部40に接合する加熱工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

突起電極が形成されるパッド部を有した基板に、前記突起電極の形成位置に位置決め開口部が形成された樹脂マスクを装着するマスク装着工程と、前記樹脂マスクを介し、前記パッド部にペーストを配設するペースト配設工程と、前記樹脂マスクを位置決めの基準として突起電極を前記ペースト上に配設する突起電極配設工程と、前記樹脂マスクを装着した状態を維持しつつ加熱処理を行うことにより、前記突起電極を前記パッド部に接合する加熱工程とを有することを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 505

FI (5件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/34 505 C ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半田ボール電極形成方法及びその半田ボール電極形成方法に用いる半田供給治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007253   出願人：松下電工株式会社
• 特開平2-278831
  
• チップキャリア、その製法、及びこのチップキャリアを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-324218   出願人：松下電工株式会社