半導体レーザ及び半導体レーザの発振方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-101367
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311619
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】レーザの発振方法に多様性を持たせた新規な構成の半導体レーザ及び半導体レーザの発振方法を提供する。【解決手段】基板11上において、n型エミッタ層12、p型ベース層13、活性層14、n型ベース層15、及びp型エミッタ層16が順次積層されてなる半導体層群20を形成する。p型ベース層13、活性層14、及びn型ベース層15からPN接合型の半導体レーザ部分を構成する。n型エミッタ層12、p型ベース層13、活性層14、及びn型ベース層15からなる第1の半導体層群区分からnpn型のバイポーラトランジスタを構成する。p型ベース層13、活性層14、n型ベース層15、及びp型エミッタ層16からなる第2の半導体層群区分からpnp型のバイポーラトランジスタを構成する。実際のレーザ発振においては、前記半導体レーザ部分、前記第1の半導体層群区分、及び前記第2の半導体層群区分を独立に制御する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の基板上において、順次隣接するように形成されたn型エミッタ層、p型ベース層、活性層、n型ベース層及びp型エミッタ層からなる半導体層群を具えることを特徴とする、半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S5/042

FI (1件)：

H01S5/042 610

Fターム (3件)：

5F073AA89 , 5F073AB14 , 5F073CA12

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-057259
特開昭54-014692
光電子集積回路およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-222122 出願人：松下電器産業株式会社

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