特許

J-GLOBAL ID：200903087088722640

半導体量子ドット装置

発明者： 河口 研一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007234
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194230
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】 特性の優れた半導体量子ドット装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体量子ドット装置は、主面の法線が、[001]方向から(001)面内で[1-10]方向に向かって傾斜した傾斜InP基板と、傾斜InP基板の主面上方に配置され、InAs1-xSbx(0<x<1)で形成された半導体量子ドットと、を有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

主面の法線が、[001]方向から(001)面内で[1-10]方向±45度未満の面内方向に向かって傾斜した傾斜InP基板と、 前記傾斜InP基板の主面上方に配置され、InAs1-xSbx(0<x<1)で形成された半導体量子ドットと、 を有する半導体量子ドット装置。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01S5/343 ,  H01L29/06 601D

Fターム (9件)：

5F173AA08 ,  5F173AA26 ,  5F173AF09 ,  5F173AG12 ,  5F173AH14 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体量子ドット素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-371828   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 量子ドットの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-045342   出願人：日本電気株式会社
• 半導体量子ドット素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-371828   出願人：富士通株式会社
• 半導体構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-289496   出願人：日本電信電話株式会社