半導体量子ドット素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371828
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136267
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】量子ドットのサイズを適切にし、量子ドットの有するエネルギ準位の準位間エネルギ、準位分布を最適化する。【解決手段】半導体量子ドット素子は、たとえばGaAsである閃亜鉛型結晶構造を有する半導体基板(1)と、前記半導体基板上方に配置され、Bi、またはTlを含んだIII-V族混晶半導体で形成された半導体量子ドット(5)と、を有する、またはInP基板と、前記InP基板上方に配置され、InAs1-xSbx(0<x<1)で形成された半導体量子ドットと、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

閃亜鉛型結晶構造を有する半導体基板と、前記半導体基板上方に配置され、Bi、またはTlを含んだIII-V族混晶半導体で形成された半導体量子ドットと、を有する半導体量子ドット素子。

IPC (2件)：

H01S5/343 , H01L29/06

FI (2件)：

H01S5/343 , H01L29/06 601D

Fターム (4件)：

5F073AA74 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-187920 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

半導体光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-218739 出願人：日本電信電話株式会社
量子ドットを備えた素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-371061 出願人：富士通株式会社
量子ドットの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-045342 出願人：日本電気株式会社

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