特許

J-GLOBAL ID：200903087095578202

微細機械構造の製造方法

発明者： アイグナー,ローベルト ,  ミヒャエリス,スベン ,  ブラウアー,ミヒャエル ,  プレーツ,フロリアン
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-547522
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517946
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】基部体(1)に配置された微細機械構造(17)を、保護体(2)を用いて、環境から受ける影響から保護する。さらに、微細機械構造を接続するために電気的接触部(9)を必要とする。切り込み部(19)および切れ目(20)において手際よく切断することで、電気的接触部(9)を露出することができる。

請求項（抜粋）：

共有する境界面(3)に沿って基部体(1)と保護体(2)とを接合して複合体(4)を形成し、上記複合体(4)に境界面(3)に沿って空洞(5)を形成する工程を有する微細機械構造の製造方法において、 複合体(4)の表面(7)の領域の物質(6)を除去することによって空洞(5)を開口することを特徴とする微細機械構造の製造方法。

IPC (5件)：

B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  G01P 15/08 ,  H01L 21/301 ,  H01L 29/84

FI (6件)：

B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H01L 29/84 Z ,  G01P 15/08 P ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 M

Fターム (13件)：

4M112AA02 ,  4M112CA21 ,  4M112DA01 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA01 ,  4M112EA03 ,  4M112EA09 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-192576   出願人：関西日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120138   出願人：日本電装株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080758   出願人：株式会社富士通宮城エレクトロニクス
• 特開昭62-248264