特許
J-GLOBAL ID：200903087108415278

パターン形成方法

発明者：
原野 俊彦

原野 俊彦 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-341938
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151381
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】グレイトーンマスクによる露光を用いて、1回のフォトリソグラフィで2つのパターンを同時に形成することが可能となり、薄いフォトレジストパターンをアッシングなどで除去した後に、厚いフォトレジストパターンを残して2回目のパターニングを行うが、現像後のポストベーク条件によっては、厚いフォトレジストパターンの形状にばらつきが生じ、そのばらつきがアッシング後に残る厚いフォトレジストパターンのバラツキを大きくするという問題が生じる。【解決手段】現像後のポストベークを110〜115°Cの温度範囲の下で130〜150秒間行うことにより、厚レジストパターン72のエッジ部の形状を垂直に近い形にし、アッシングによる横方向へのフォトレジストの膜減りを少なくして、残存レジストパターン73の開口幅d0のバラツキを0.4〜0.6μmと小さくでき、開口幅を均一性良く形成することが出来る。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜の上に膜厚の異なる厚レジストパターン及び薄レジストパターンからなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をその表面からその膜厚全体に渡って除去する工程と、前記レジストパターンをその表面から一様にエッチングして前記薄レジストパターンが除去された時点でエッチングを停止して、前記レジストパターンのうち厚レジストパターンの一部を前記被エッチング膜上に残して前記厚レジストパターンを残存レジストパターンとする工程とを有するパターン形成方法であって、前記レジストパターンを形成する工程が、前記被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜に第1の熱処理を施した後、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域のレジスト膜が第1の露光量で、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域が前記第1の露光量よりも少ない第2の露光量でそれぞれ選択的に露光され、続いて、前記レジスト膜を現像し、その後、20〜145°Cの範囲の温度にて第2の熱処理を施すことにより行われることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065
FI (8件)：
G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 571 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/302 H
Fターム (26件)：
2H095BB31 ,  2H095BB32 ,  2H095BB35 ,  2H095BC01 ,  2H095BC08 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA02 ,  2H096LA08 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA01 ,  5F004EB02 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046DA02 ,  5F046LA18 ,  5F046MA12
引用特許：
審査官引用 (6件)
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