特許
J-GLOBAL ID：200903087122147430
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077716
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275779
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】半導体基板内に結晶欠陥を発生されることなく、高密度化に適したトレンチ素子分離構造の半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】一導電型の半導体基板の所定の領域に逆導電型の不純物を導入する工程と、半導体基板を構成する原子であって前記半導体基板の格子間に存在する格子間原子をトラップすることになる捕獲用原子を、前記不純物の導入された領域に選択的に導入する工程と、前記半導体基板を熱処理する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板を構成する原子であって、前記半導体基板の格子間に存在する格子間原子をトラップする捕獲用原子を、前記半導体基板の所定の領域に導入する工程と、前記半導体基板を熱処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 F
, H01L 21/265 602 B
, H01L 29/78 301 S
