特許

J-GLOBAL ID：200903087124504701

差動浮遊ゲート不揮発性メモリ

発明者： リンドホースト チャッド エイ ,  ディリオ クリストファー ジェイ ,  ギリランド トロイ エヌ ,  ペサヴェント アルバート ,  スリニヴァス シャイル ,  マ ヤンジュン ,  ハス テリー ,  ラヒミ カンビズ
出願人/特許権者： インピンジ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-519985
公開番号（公開出願番号）：特表2005-532654
出願日： 2003年07月03日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 CMOS設計者らが必要とする最新の論理CMOSにおけるNVM(不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 本発明の差動不揮発性浮遊ゲートメモリは、第1の浮遊ゲートを有する第1のpFET浮遊ゲートトランジスタと、第2の浮遊ゲートを有する第2のpFET浮遊ゲートトランジスタと、前記第1のpFET浮遊ゲートトランジスタ及び前記第2のpFET浮遊ゲートトランジスタから電流を受け取るように結合された差動感知増幅器とを備える。

請求項（抜粋）：

第1の浮遊ゲートを有する第1のpFET浮遊ゲートトランジスタと、 第2の浮遊ゲートを有する第2のpFET浮遊ゲートトランジスタと、 前記第1のpFET浮遊ゲートトランジスタ及び前記第2のpFET浮遊ゲートトランジスタから電流を受け取るように結合された差動感知増幅器と、 を備えた差動不揮発性浮遊ゲートメモリ。

IPC (7件)：

G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (6件)：

G11C17/00 623Z ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611Z ,  G11C17/00 634A

Fターム (25件)：

5B125BA04 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA06 ,  5B125DA01 ,  5B125DB01 ,  5B125EB01 ,  5B125ED10 ,  5B125EE05 ,  5B125FA05 ,  5B125FA07 ,  5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083EP42 ,  5F083ER03 ,  5F083LA03 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA02 ,  5F101BA12 ,  5F101BB06 ,  5F101BB15 ,  5F101BC02 ,  5F101BE02 ,  5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭59-054100
  
• FNトンネルを有する不揮発性プログラマブル相互接続セル及びそのプログラミング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-507595   出願人：ゲートフィールドコーポレイション
• マルチレベルスレッシュホールド電圧格納可能なPMOSフラッシュメモリセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-302967   出願人：プログラマブルマイクロエレクトロニクスコーポレイション
• 特開昭54-017655
  
• 特開昭59-054100
  
• 特開昭54-017655