特許
J-GLOBAL ID：200903087140528769

透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 東平 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245322
公開番号（公開出願番号）：特開2000-072537
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：
【要約】【課題】透明導電膜のスパッタリングを安定性よくかつ生産性よく行うことができる透明導電膜の成膜用ターゲットと、該ターゲットを用いて製膜した透明性や導電性、電極加工性がよく、かつ有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極に用いた場合に正孔注入効率のよい透明導電ガラスならびに透明導電フィルムを提供すること。【解決手段】酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛を特定の金属原子比で含む組成物であって、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物と、酸化錫と酸化亜鉛からなるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体と、これら3成分に正4価以上の金属酸化物を含有させた焼結体、該焼結体からなるスパッタリング用ターゲットおよび該ターゲットを用いて成膜して得られた透明導電ガラスならびに透明導電フィルム。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、In/(In+Sn+Zn)=0.50〜0.75Sn/(In+Sn+Zn)=0.20〜0.45Zn/(In+Sn+Zn)=0.03〜0.30の割合で含有し、かつIn2 O3 ・(ZnO)m 〔式中のmは、2〜20の整数である。〕で表される六方晶層状化合物およびZn2 SnO4 で表されるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体。
IPC (4件)：
C04B 35/457 ,  C01G 15/00 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/34
FI (4件)：
C04B 35/00 R ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 J
Fターム (26件)：
4G030AA15 ,  4G030AA19 ,  4G030AA23 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA08 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BC03 ,  4K029BC08 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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