特許
J-GLOBAL ID：200903087150943098
プラズマCVDによる成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277897
公開番号（公開出願番号）：特開平7-109576
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD法にて基板表面に未分解元素の含有量の少ない薄膜を形成する。【構成】 排気された反応室1内に放電用ガス、原料分解用ガスを連続的に導入し、成膜用原料ガスはバルブ開閉制御機33にてその開閉を行うピエゾバルブA、Bの間欠的開閉によって断続的に導入し、基板2と電極3との間に電力を供給することによって、導入した原料を分解し、上記ピエゾバルブA、Bの間欠的開閉によって原料分解物の基板2表面への堆積過程と堆積物中の未分解元素の除去過程とを別個に設定できるようにした。
請求項（抜粋）：
排気された反応室に複数の成膜用原料ガス、放電ガスおよび原料分解用ガスを導入し、上記反応室に間隔を隔てて設けた基板と電極との間に電力を供給して、上記原料ガスを分解させ、上記基板表面に皮膜を形成させるプラズマCVDによる成膜方法において、上記複数の成膜用原料ガスを間欠的に導入して、基板表面への上記原料ガス分解物の堆積過程と堆積物中の未分解元素の除去過程とを別個に設定するとともに、この両過程を周期5秒以下で繰り返し行うことを特徴とするプラズマCVDによる成膜方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
