特許
J-GLOBAL ID:200903087153710426

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 岡田 敬 ,  須藤 克彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-161253
公開番号(公開出願番号):特開2004-363400
出願日: 2003年06月05日
公開日(公表日): 2004年12月24日
要約:
【課題】薄型の半導体装置10を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子14と、半導体素子14を封止する封止材と、半導体素子14と電気的に接続され且つ前記封止材から露出する外部電極を構成する導電部材とを有する半導体装置に於いて、半導体素子14は、半導体基板14Cと、半導体基板14Cの表面に設けた14D回路部と、半導体基板14Cの周辺部に設けた窪み部14Aと、回路部14Dに接続して窪み部にボンディングパッドを構成するメタル配線14Bとを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止材と、前記半導体素子と電気的に接続され且つ前記封止材から露出する外部電極を構成する導電部材とを有する半導体装置に於いて、 前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けた回路部と、前記半導体基板の周辺部に設けた窪み部と、前記回路部に接続して前記窪み部に電極を構成するメタル配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/14
FI (3件):
H01L21/60 301P ,  H01L21/88 T ,  H01L27/14 D
Fターム (23件):
4M118AB01 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA12 ,  4M118HA17 ,  4M118HA25 ,  4M118HA29 ,  4M118HA30 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033VV07 ,  5F033XX01 ,  5F044AA01 ,  5F044EE01 ,  5F044EE21 ,  5F044JJ03
引用特許:
審査官引用 (13件)
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