特許

J-GLOBAL ID：200903087341761305

熱処理方法及び熱処理装置

発明者： 齋藤 孝規 ,  芹澤 和秀 ,  市川 貴
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金坂 憲幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-097672
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304096
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】低温域での降温特性を改善してスループットの向上を図った熱処理方法及び熱処理装置を提供する。【解決手段】複数の被処理体wを多段に保持した状態で処理容器2内に収容して所定の熱処理を施す熱処理装置1において、前記処理容器2を金属により形成し、該処理容器2に冷媒を流通さる容器冷却手段10を設け、前記処理容器2内に被処理体wを加熱する加熱手段20を設けると共に、前記処理容器2内の多段の被処理体wに対応した高さ領域に分散して冷却ガスを吹き出す複数の吹き出し孔26を有する冷却ガス導入手段27を設けている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の被処理体を多段に保持した状態で処理容器内に収容して低温域で所定の熱処理を施す熱処理方法において、金属製で冷却可能とした前記処理容器の内部に設けた加熱手段により前記被処理体に低温域で所定の熱処理を施し、この熱処理の終了後に前記処理容器内の多段の被処理体に対応した高さ領域に冷却ガスを分散して導入することにより被処理体を冷却することを特徴とする熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/324 R ,  H01L21/324 W ,  H01L21/90 J

Fターム (22件)：

5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033XX34 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC05 ,  5F045EE14 ,  5F045EF03 ,  5F045EF11 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-288426
  
• 半導体ウェハ熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-355815   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055425   出願人：国際電気株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-179246   出願人：株式会社日立国際電気