複合誘電体フイルム

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087623
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】誘電係数がより一層高く、より一層高いマグニチュードの容量を与え、かつ満足できる漏れ電流と低い破壊電圧を誘電体フィルムに与える。【解決手段】燐ドープされたポリシリコン底部電極を約60秒間900°Cでアンモニア中で急速な熱窒化処理を行う。ペンタエトキシル・タンタルと酸素ガスの混合体からの低圧化学蒸着により燐ドープされたポリシリコン底部電極上に第1のタンタル五酸化物層Aを形成する。テトラーイソプロピルーチタン酸塩と酸素ガスの混合体からの低圧化学蒸着により第1のタンタル五酸化物層にチタン二酸化物層Iを形成する。チタン二酸化物層上に第2のタンタル五酸化物層を形成する。複号誘電体フィルムを被着した後約60秒間800°Cで急速熱亜酸化窒素アニーリングを行う。チタン窒化物及びアルミニウムのトップ電極をリアクティブ・スパッタリングにより形成する。

請求項（抜粋）：

以下を備える複合誘電体フィルム:n+ ポリシリコン底部電極;該n+ ポリシリコン底部電極の上の二酸化チタン層;該チタン層の上のタンタル五酸化層;および該タンタル五酸化層の上のトップ電極。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 4/12 310

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01G 4/12 310

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法並びにそれを用いた応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143269 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-249358
半導体の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-082985 出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩

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