特許

J-GLOBAL ID：200903087366454954

液晶表示パネル

発明者： 岡野 勝一 ,  山崎 康二 ,  岩野 英明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-247295
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084422
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、TFTの下側からの光に対する遮光性能とTFTのスイッチング特性とを改善する。【解決手段】一対の第1及び第2基板(1、2)間に挟持された液晶(50)と、第1基板にマトリクス状に設けられた画素電極(11)と、これをスイッチング制御するTFT(30)とを備えた液晶表示パネル(100a)において、TFTに対向する位置において第1基板とTFTとの間に高融点金属からなる遮光層(3a)を設け、この遮光層に重ねて多結晶シリコン層(4a)を設ける。

請求項（抜粋）：

一対の第1及び第2基板と、該第1及び第2基板間に挟持された液晶と、前記第1基板の前記液晶に対面する側にマトリクス状に設けられた複数の透明な画素電極と、該複数の画素電極に夫々隣接する位置において前記第1基板に設けられており前記複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子に夫々対向する位置において前記第1基板と前記複数のスイッチング素子との間に夫々設けられた高融点金属からなる遮光層と、該遮光層が夫々重なる位置において前記第1基板と前記遮光層との間に夫々設けられた多結晶シリコン層と、前記遮光層と前記複数のスイッチング素子との間に設けられた層間絶縁層とを備えたことを特徴とする液晶表示パネル。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 500

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 500

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-115320   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-133033
  
• 半導体装置、半導体装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-199979   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平4-133033
  
• 特開平4-133033