特許
J-GLOBAL ID:200903087372106453
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-209493
公開番号(公開出願番号):特開2003-023126
出願日: 2001年07月10日
公開日(公表日): 2003年01月24日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップからの発熱を効率よく放熱するとともに封止樹脂層による封止状態が確実に保持されて内部ショート等の不都合の発生を確実に防止して信頼性の向上を図った半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ2をリードフレーム3に搭載するとともに封止樹脂層5により封装してパッケージ化し、このパッケージを回路基板7上に実装してなる。半導体チップ2に対応して封止樹脂層5の上面5aに放熱用金属層15を直接形成してなる。
請求項(抜粋):
半導体チップをリードフレームに搭載するとともに封止樹脂層により封装してパッケージ化し、このパッケージを回路基板上に実装してなる半導体装置において、前記半導体チップに対応して前記封止樹脂層の上面に放熱用金属層を直接形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/34
, H01L 23/28
, H01L 23/373
, H01L 23/50
FI (4件):
H01L 23/34 A
, H01L 23/28 F
, H01L 23/50 F
, H01L 23/36 M
Fターム (9件):
4M109AA01
, 4M109DA04
, 4M109DB02
, 4M109EE05
, 5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BE01
, 5F067AA03
, 5F067CA02
引用特許:
前のページに戻る