特許
J-GLOBAL ID:200903025111019655

半導体集積デバイスの放熱構造

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-100021
公開番号(公開出願番号):特開平11-284119
出願日: 1998年03月27日
公開日(公表日): 1999年10月15日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、製造上好ましく改良された1ピース構造の半導体集積デバイスの放熱構造を提供する。【解決手段】 半導体チップ(3)の周囲が封止樹脂(1)によって封止され、回路基板(30)に実装される半導体集積デバイス(10)の放熱構造である。本発明では、前記チップを搭載するタブ(2)と、このタブを支持するアーム(6)と、前記チップとの間がボンディングワイヤ(5)で接続されるリード(4)とを備え、前記タブ、アームおよびリードは、1ピース構造のリードフレーム(40)の各一部である。前記リードは、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に折曲げられ、前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記アームから前記回路基板とは逆側に折曲げられ、前記チップは、前記タブの内側に搭載されている。
請求項(抜粋):
半導体チップの周囲が封止樹脂によって封止され、回路基板に実装される半導体集積デバイスの放熱構造であって、前記チップを搭載するタブと、このタブを支持するアームと、前記チップとの間がボンディングワイヤで接続されるリードとを備え、前記タブ、アームおよびリードは、1ピース構造のリードフレームの各一部であり、前記リードは、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に折曲げられ、前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記アームから前記回路基板とは逆側に折曲げられ、前記チップは、前記タブの内側に搭載されていることを特徴とする半導体集積デバイスの放熱構造。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/34
FI (2件):
H01L 23/50 F ,  H01L 23/34 A
引用特許:
審査官引用 (9件)
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