特許
J-GLOBAL ID：200903087397699840
シリコンウエーハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-255792
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092274
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、チョクラルスキー法により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性が優れ、かつ酸素析出が抑制された優れたシリコン単結晶およびその製造方法に関する。【解決手段】 絶縁破壊電界が8.0MV/cm以上を示す割合が40% 以上であり、かつシリコンウエーハの初期酸素濃度をA ×10<SP>1 7 </SP>atoms/cm<SP>3 </SP>、酸素析出熱処理によるシリコンウエーハの析出酸素濃度をB ×10<SP>1 7 </SP>atoms/cm<SP>3 </SP>としたとき、B<48-11.9 ×A+0.74×A <SP>2 </SP>の条件を満足するシリコンウエーハ及びその製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
絶縁破壊電界が8.0MV/cm以上を示す割合が40% 以上であり、かつシリコンウエーハの初期酸素濃度をA ×10<SP>1 7 </SP>atoms/cm<SP>3 </SP>、酸素析出熱処理によるシリコンウエーハの析出酸素濃度をB ×10<SP>1 7 </SP>atoms/cm<SP>3 </SP>としたときの平均値( <U>A </U>, <U>B </U>) が、<U>B </U><26-7.6 ×<U>A </U>+0.55 ×<U>A <SP></U>2 </SP>の条件を満足することを特徴とするシリコンウエーハ。
IPC (2件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 H
