特許

J-GLOBAL ID：200903087422745487

レーザ光線を利用した被加工物分割方法

発明者： 永井 祐介 ,  小林 賢史 ,  星野 仁志
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-140888
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343008
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】充分に幅狭な分割ライン(12)に沿って被加工物(2)を充分精密に分割することを可能にする、レーザ光線(4)を利用した被加工物分割方法を提供する。【解決手段】被加工物(2)の片面側から照射するレーザ光線(4)を被加工物(2)の他面(14)乃至その近傍に集光せしめて、他面(14)から所定深さまでの部分で材料を変質せしめる。変質は実質上溶融及び再固化である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

レーザ光線が透過し得る被加工物の片面側からレーザ光線を照射することを含む被加工物分割方法において、 被加工物の該片面側から照射するレーザ光線を被加工物の他面乃至その近傍に集光せしめて、被加工物の該他面から所定深さまでの部分を変質せしめる、ことを含む被加工物分割方法。

IPC (3件)：

H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04

FI (4件)：

H01L21/78 B ,  B23K26/00 N ,  B23K26/00 320E ,  B23K26/04 C

Fターム (5件)：

4E068AE01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278663   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 電子回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065841   出願人：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328665   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭53-114347