特許

J-GLOBAL ID：200903087425255685

半導体装置及びその製造方法

発明者： 本村 知久 ,  平井 浩之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134558
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップのサイズを大きくしてもチップと基板との間で剥離したり、チップと基板との間での電気的な接続不良が生じることのない半導体装置やそのような半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板11上に異方性導電フィルム(ACF)3を介して半導体チップ4を圧着した後に、異方性導電フィルム(ACF)3上面と、この上面に配設された半導体チップ4のハウジング41のコーナー部との間にわたって補強部材7を配設した。この補強部材7はフィレット形状に代表される応力分散型形状を備えているため、半導体装置に曲げ応力が作用しても、この応力は前記補強部材により分散されるため、半導体チップ4のコーナー部に応力が集中するのが防止され、半導体チップ4と配線基板11との間で接続不良が生じることが未然に防止される。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に配設された配線層と、前記配線層上に配設された異方性導電フィルム層と、前記異方性導電フィルム層上に配設された半導体チップと、前記半導体チップ上に配設された電極板と、前記異方性導電フィルム層内において前記配線層と前記電極板とを導通させる金ボールバンプと、前記異方性導電フィルム層と前記半導体チップのコーナー部との間に配設され、応力分散型形状を備えた補強部材とを具備する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R

Fターム (7件)：

5F044KK02 ,  5F044LL09 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線基板および電子ユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187701   出願人：株式会社東芝
• ICチップの接合構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-335261   出願人：株式会社ミスズ工業