半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：紋田誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143484
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】同一ワード内の記憶セルに対して、データ1とデータ0を同時に書き込むとともに、書き換えの必要のない記憶セルには書き換えストレスを与えることがない、半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】半導体記憶装置の各単位に、セレクトトランジスタとして機能するMOSFET(SLT)、フローティングゲ-ト(FG)を有しメモリトランジスタとして機能するMOSFET(MT)とともに、セパレーショントランジスタとして機能するMOSFET(SPT)を直列に設けることで、高電位Vppの電流経路を無くし、コントロール線(CL)に高電位Vppの中間電位を与えることで、同じワード内の各記憶単位にデータ1とデータ0とを同時に書き込む。

請求項（抜粋）：

セレクトトランジスタとして機能するMOSFETと、フローティングゲ-トを有しメモリトランジスタとして機能するMOSFETと、セパレーショントランジスタとして機能するMOSFETとをこの順序で直列に接続したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/04 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 623 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (27件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC03 , 5B025AD04 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5F001AA25 , 5F001AA61 , 5F001AB02 , 5F001AD18 , 5F001AD41 , 5F001AE02 , 5F001AF07 , 5F083EP14 , 5F083EP15 , 5F083EP27 , 5F083EP32 , 5F083ER21 , 5F083GA21 , 5F083LA10 , 5F101BA07 , 5F101BA34 , 5F101BB02 , 5F101BD09 , 5F101BD22 , 5F101BE05 , 5F101BF03

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置と、その製造方法及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-067243 出願人：ソニー株式会社
特開平4-103095
特開平1-119993

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