半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103050
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 MIS型の半導体装置の製造方法に関し、信頼性が高く、電気的特性の安定した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上に絶縁膜12を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜12上に半導体層14を形成する半導体層形成工程と、半導体層14に水素を含む不純物を導入する不純物導入工程とを有する半導体装置の製造方法であって、少なくとも絶縁膜12にフッ素を導入するフッ素導入工程を有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層に水素を含む不純物を導入する不純物導入工程とを有する半導体装置の製造方法であって、少なくとも前記絶縁膜にフッ素を導入するフッ素導入工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-062974
半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-156514 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-062974

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