特許
J-GLOBAL ID：200903087447130681

半導体モジュール

発明者：
山渕 浩史

山渕 浩史 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 村上 啓吾 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145910
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338592
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【謀題】 パワー半導体モジュール内部の熱伝道路となる各部材間の熱応力をなくすことにより、パワー半導体モジュールの信頼性を長期に亘って確保する。【解決手段】 内部にIGBT素子9を有するパワー半導体モジュールにおいて、パワー半導体モジュール内部の電力および熱の伝導路となる部材間を、半田等の導電性溶着接合部材で溶着せず、IGBT素子9のパワー入力部およびパワー出力部に直接導電性と熱伝導性とに優れる金属材料からなる電極2,4,5を面接触させることにより、導電と熱伝導とを兼ね備え、更にパワー半導体モジュール内部の電力および熱の伝導路となる部材を積層構造とするとともに、積層方向に積層部材相互を圧接する弾性部材13を設ける。
請求項（抜粋）：
内部に半導体素子を封止した半導体モジュールであって、上記半導体素子の入力部および出力部に導電性と熱伝導性の高い金属材料から構成される電極を面接触させ、上記半導体素子並びに上記電極を積層構造とし、積層方向に積層部材相互を圧接するための弾性部材を設けたことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
H01L 23/34 ,  H01L 23/48
FI (2件)：
H01L 23/34 A ,  H01L 23/48 G
Fターム (9件)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA05 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB23 ,  5F036BC09 ,  5F036BC17 ,  5F036BD01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 圧接型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-239232   出願人：日本インター株式会社
  • パワー半導体モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167329   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-210475   出願人：株式会社東芝

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