特許

J-GLOBAL ID：200903092949569133

パワー半導体モジュール

発明者： 菊池 巧 ,  大井 健史 ,  高橋 貢 ,  武藤 浩隆 ,  上貝 康己 ,  碓井 修 ,  堀口 剛司 ,  藤岡 弘文 ,  菊永 敏之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017087
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 パワー半導体モジュールに強く要求される電気的接続の長期信頼性を得る。【解決手段】 ケース7内にパワー半導体チップ4を有するパワー半導体モジュールにおいて、モジュールを構成する配線9の電気的接続に導電性樹脂10を用いた。さらに、上記導電性樹脂は、銀、金、銅、ニッケル、および炭素の内の少なくとも何れか1つを含有し、体積抵抗率が1Ω・cm以下であり、かつ、弾性率が1000kgf/mm2以下であるものである。さらに、外部電極へとつながるパワー半導体モジュール内部の主回路配線電極9をパワー半導体チップの活性面上に配置し、上記電極と活性面とを導電性樹脂により接続した。また、パワー半導体チップの活性面と金属体とを導電性樹脂で接続し、上記金属体と主回路配線電極とを接続した。さらに、導電性樹脂による電気的接続部を加圧する部材を備えた。

請求項（抜粋）：

ケース内にパワー半導体チップを有するパワー半導体モジュールにおいて、モジュールを構成する配線の電気的接続に導電性樹脂を用いたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-249249
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055305   出願人：シチズン時計株式会社
• 電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-052997   出願人：株式会社日立製作所