特許
J-GLOBAL ID：200903087452429954

電子ビーム蒸着方法、及び電子ビーム蒸着装置

発明者：
渡辺 昌規

渡辺 昌規 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160329
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の製造において広く用いられている電子ビーム蒸着法において、従来原理的に避けられないと思われていた電子・イオンの衝撃によるダメージをほぼなくすことを課題とする。【解決手段】 シャッタを閉にした状態で蒸着源に電子ビームを照射する第1の工程と、電子ビーム照射を停止すると共に、前記シャッタを開にし、前記工程の電子ビーム照射によって温度が上昇した前記蒸着源から蒸発する材料を被蒸着物上に蒸着する第2の工程と、を有し、前記第1の工程と第2の工程とを、交互に繰り返して薄膜を形成してなることにより、上記課題を達成する。
請求項（抜粋）：
シャッタを閉にした状態で蒸着源に電子ビームを照射する第1の工程と、電子ビーム照射を停止すると共に、前記シャッタを開にし、前記工程の電子ビーム照射によって温度が上昇した前記蒸着源から蒸発する材料を被蒸着物上に蒸着する第2の工程と、を有し、前記第1の工程と第2の工程とを、交互に繰り返して薄膜を形成してなることを特徴とする電子ビーム蒸着方法。
IPC (2件)：
C23C 14/30 ,  C23C 14/54
FI (2件)：
C23C 14/30 B ,  C23C 14/54 G
Fターム (13件)：
4K029AA04 ,  4K029BA35 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029BD09 ,  4K029CA01 ,  4K029DA12 ,  4K029DA13 ,  4K029DB21 ,  4K029FA01
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特公平2-039590
  • 処理装置および処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-151511   出願人：テル・バリアン株式会社
  • スパッタ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041872   出願人：日本電気株式会社

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