半導体基板およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252881
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144276
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】コストの上昇や、信頼性の低下を招かずにSOI構造を形成すること。【解決手段】シリコン基板1の表面に複数の溝4を2次元的に配列形成した後、シリコン基板1に熱処理を施すことによって、複数の溝4を1つの平板状の空洞5に変える。

請求項（抜粋）：

内部に平板状の空洞が設けられていることを特徴とする半導体基板。

IPC (16件)：

H01L 27/12 , G02B 6/122 , G02B 6/12 , H01L 21/762 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/84

FI (22件)：

H01L 27/12 Z , H01L 27/12 F , H01L 27/12 L , H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 331 A , H01L 27/10 461 , H01L 29/84 B , G02B 6/12 B , G02B 6/12 N , G02B 6/12 Z , H01L 21/76 D , H01L 27/04 C , H01L 27/04 L , H01L 27/08 321 K , H01L 27/08 321 A , H01L 27/10 681 D , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E , H01L 29/78 621 , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-128442
特開平4-304653
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135037 出願人：株式会社東芝

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