特許

J-GLOBAL ID：200903087481754783

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 大園 満
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144035
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 樹脂封止後の半導体ウェハを効率よくしかも高品質で切断することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置の製造方法において、樹脂層形成工程後に半導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断する際に、レーザ加工などの非接触加工によって樹脂層4に除去幅B1の除去溝4aを設けて樹脂層4の切断を行った後に、機械的切断ツールによる接触加工によって除去幅B1より狭い切断幅B2で半導体ウェハ1を切断する。これにより、封止面の剥離を防止し切断ツールの損耗を防止して、樹脂封止後の半導体ウェハ1を効率よくしかも高品質で切断することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面にこの電極形成面を封止する封止機能を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層形成工程後に前記半導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断する切断工程とを含み、この切断工程において非接触加工によって樹脂層の切断を行った後に機械的切断ツールによる接触加工によって前記半導体ウェハの切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/301 ,  B23K 10/00 501 ,  B23K 26/00 320 ,  B26F 3/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  B23K101:40

FI (11件)：

B23K 10/00 501 A ,  B23K 26/00 320 E ,  B26F 3/00 S ,  H01L 21/56 E ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 A ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 J ,  H01L 23/12 L

Fターム (13件)：

3C060AA11 ,  3C060CE23 ,  4E001AA01 ,  4E001BA04 ,  4E001CC04 ,  4E068AE00 ,  4E068DA11 ,  4E068DB10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CB04 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体電子部品の製造方法およびウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-026434   出願人：株式会社日立製作所
• 有機薄膜多層配線基板の切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179723   出願人：日本電気株式会社
• 帯状熱源による脆性材料の割断加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-196231   出願人：双栄通商株式会社, 長崎県, 新技術事業団