特許

J-GLOBAL ID：200903087497670997

半導体レーザ

発明者： 河田 敏也 ,  浅香 浩 ,  牧田 幸治 ,  足立 秀人 ,  高森 晃
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164537
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359435
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 電流ブロック層がAlを含むことに起因する、リッジ上端面の上部の領域における第3上部クラッド層の高抵抗化を抑制し、動作電圧が低く、高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板101上に、第1導電型の下部クラッド層103、活性層104、第2導電型の第1上部クラッド層105、およびリッジ形状を有する第2導電型の第2上部クラッド層107が形成される。リッジを挟むようにして第2上部クラッド層より屈折率が低くかつAlを含む電流ブロック層110が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第2導電型の第3上部クラッド層112が形成される。電流ブロック層のうち、リッジの側面に形成されている領域のリッジの底面からの高さが、リッジの高さよりも小さい。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の第1上部クラッド層、およびリッジ形状を有する第2導電型の第2上部クラッド層が形成され、前記リッジを挟むようにして前記第2上部クラッド層より屈折率が低くかつAlを含む電流ブロック層が形成され、前記リッジと前記電流ブロック層の上に前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する第2導電型の第3上部クラッド層が形成された半導体レーザにおいて、前記電流ブロック層のうち前記リッジの側面に形成されている領域の前記リッジの底面からの高さが、前記リッジの高さよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (10件)：

5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073BA06 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-175560   出願人：ソニー株式会社
• 半導体レーザおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222021   出願人：ローム株式会社