特許

J-GLOBAL ID：200903087512217927

窒化物系半導体基板の製造方法、窒化物系半導体基板、及び窒化物系半導体発光素子

発明者： 鈴木 貴征 ,  目黒 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岡本 芳明 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-025656
公開番号（公開出願番号）：特開2007-204319
出願日： 2006年02月02日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板上に、第1のGaN層を成長速度が500μm/時以下で膜厚が10μm以上になるように成長させた後、第1のGaN層上に、第2のGaN層を成長速度が600μm/時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

異種基板上に、第1の窒化物系半導体層を成長させる工程と、 前記第1の窒化物系半導体層上に、第2の窒化物系半導体層を成長させる工程とを備え、 前記第1の窒化物系半導体層の成長速度を、前記第2の窒化物系半導体層の成長速度よりも遅くしたことを特徴とする窒化物系半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (51件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EH01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB02 ,  4G077TC10 ,  4G077TC13 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DP09 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045GB20 ,  5F045GH09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-297023号公報
  

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-251411   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体バルク結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119334   出願人：豊田合成株式会社