化合物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320580
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150539
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極の寄生抵抗の十分に小さく、高周波特性の良好な化合物半導体装置の製造方法を製造する方法を提供する。【解決手段】本方法は、Ga As 基板上に、エッチングストッパ層としてAlGa As 層4及びGa As 層3を形成する工程と、Ga As 層上にゲート絶縁膜1を成膜する工程と、ゲート絶縁膜をエッチングして、Ga As 層を露出させるゲート開口を設ける工程と、ゲート開口の開口壁にゲート絶縁膜とは異なる材料でサイドウォール2を形成する工程と、サイドウォールを設けたゲート開口を有するゲート絶縁膜をマスクにし、エッチングストッパ層までGa As 層をエッチングする工程と、サイドウォールを除去する工程と、ゲート電極8を形成する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、エッチングストッパ層及び化合物半導体層を形成する工程と、化合物半導体層上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、ゲート絶縁膜をエッチングして、化合物半導体層を露出させるゲート開口を設ける工程と、ゲート開口の開口壁にゲート絶縁膜とは異なる材料でサイドウォールを形成する工程と、サイドウォールを設けたゲート開口を有するゲート絶縁膜をマスクにし、エッチングストッパ層まで化合物半導体層をエッチングする工程と、サイドウォールを除去する工程と、ゲート電極層を成膜し、パターニングしてゲート開口を埋めるゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/28 M

Fターム (32件)：

4M104AA05 , 4M104BB28 , 4M104CC03 , 4M104DD04 , 4M104DD10 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104GG12 , 5F102FA03 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102GS04 , 5F102GT05 , 5F102HA13 , 5F102HC01 , 5F102HC16 , 5F102HC17 , 5F102HC18

引用特許：

審査官引用 (8件)

電界効果型半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-173910 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-279034
特開平4-171829

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