特許

J-GLOBAL ID：200903087548404600

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 曳地 丈人 ,  桜井 淳
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-019809
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211912
出願日： 1994年01月21日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 LDD構造の薄膜トランジスタにおいて、LDD領域幅、すなわちオフセット幅の均一性の向上を図る。【構成】 絶縁性基板上に形成した島状半導体層と、この半導体層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域と、このソース領域とドレイン領域に隣接する半導体層にそれぞれ形成されソース領域及びドレイン領域と同一導電型の低濃度拡散領域と、低濃度拡散領域間に形成されるチャネル領域を有する薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁膜を下部絶縁層13と上部絶縁層14から成る2層構造とし、上部絶縁層14の端部により前記低濃度拡散領域19、20とソース領域17及びドレイン領域18との境界を規定し、前記ゲート電極15の端部によりチャネル領域21と低濃度拡散領域19、20との境界を規定する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成した島状半導体層と、この半導体層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域と、このソース領域とドレイン領域に隣接する半導体層にそれぞれ形成されソース領域及びドレイン領域と同一導電型の低濃度拡散領域と、低濃度拡散領域間に形成されるチャネル領域を有する薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁膜を下部絶縁層と上部絶縁層から成る2層構造とし、上部絶縁層の端部により前記低濃度拡散領域とソース領域及びドレイン領域との境界を規定し、前記ゲート電極の端部によりチャネル領域と低濃度拡散領域との境界を規定することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-196328
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-223679   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122680   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-196328