フォトダイオード

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-097820
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141308
出願日： 2008年04月04日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：

【課題】フォトダイオードの高感度化と高速化を両立させる。【解決手段】半導体基板11と、その上に選択エピタキシャル成長により形成された複数の活性領域12と、それらの活性領域12に対してそれぞれ設けられ、互いに連絡してそれらの活性領域12を電気的に接続する櫛型電極13とからフォトダイオードを構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、その上に選択エピタキシャル成長により形成された複数の活性領域と、それらの活性領域に対してそれぞれ設けられ、互いに連絡してそれらの活性領域を電気的に接続する櫛型電極とからなるフォトダイオード。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (2件)：

H01L31/10 H , H01L31/10 G

Fターム (14件)：

5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA03 , 5F049NA04 , 5F049PA04 , 5F049PA07 , 5F049PA10 , 5F049PA14 , 5F049RA06 , 5F049SE04 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049SZ13 , 5F049UA13

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6635110号公報
米国特許第5777390号公報

審査官引用 (7件)

集積光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-244129 出願人：株式会社日立製作所
能動領域の欠陥が低減されユニークな接触スキームを有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-508542 出願人：アギアシステムズインコーポレーテッド
半導体光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249956 出願人：日本電気株式会社

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