電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206774
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055579
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】gmプロファイルを線型にして、第3次高調波歪み(IM3)を軽減した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定の半導体層2上に形成され、不純物濃度が低い値から高い値へ変化するチャネル層3と、底面が前記所定の半導体層の上部に位置するソース領域6及びドレイン領域7とを有する。チャネル層3は、混晶比が小さい値から大きい値に変化する構成であってもよい。この構成により、半導体基板上に形成されたバッファ層などの前記所定の半導体層に影響されることなくgmプロファイルの線型性を実現することができ、第3次高調波歪み(IM3)が解消された電界効果トランジスタが実現できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

所定の半導体層上に形成され、不純物濃度が低い値から高い値へ変化するチャネル層と、底面が前記所定の半導体層の上部に位置するソース領域及びドレイン領域と、を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L21/338 , C23C14/24 , C23C16/44 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L29/812

FI (5件)：

H01L29/80 Q , C23C14/24 S , C23C16/44 A , H01L21/203 M , H01L21/205

Fターム (53件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA03 , 4K029BA10 , 4K029BA31 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA10 , 4K029DB14 , 4K029EA00 , 4K030AA11 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA05 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA06 , 5F045DA53 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK06 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GL15 , 5F102GL16 , 5F102GL17 , 5F102GM06 , 5F102GM07 , 5F102GM09 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102HC01 , 5F102HC21 , 5F103AA05 , 5F103DD03 , 5F103GG01 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103KK01 , 5F103KK07 , 5F103KK10 , 5F103LL08 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-019488 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭61-184887
電界効果型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-037021 出願人：三洋電機株式会社

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