特許

J-GLOBAL ID：200903087625681603

有機半導体トランジスタ

発明者： 佐藤 尚武
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-301856
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110028
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】 真空蒸着などの汎用薄膜プロセスで作製される有機FETでは、結晶粒界におけるエネルギー障壁がFET特性である移動度を低減させたり、ソース電極/ドレイン電極間のオン電流を低減させたりという問題がある。本発明は前記二点の問題点解決となる手法を提供する。【解決手段】 有機FETにおけるゲート絶縁層とは対極側に、電気的に短絡しない量の導電性微粒子分散層を形成したOFETの調製方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を有する電界効果型有機半導体トランジスタにおいて、前記有機半導体層を挟んで前記絶縁層と対向し、かつ、導電性微粒子がソース電極/ドレイン電極間を短絡する連続体を形成しない分散層(以下、導電性微粒子分散層)を形成していることを特徴とする有機半導体トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A

Fターム (38件)：

5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-086374   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 有機薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-115425   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 有機トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-402664   出願人：株式会社東芝