特許
J-GLOBAL ID:200903087643716902
固体撮像素子、及び固体撮像システム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-164531
公開番号(公開出願番号):特開2005-347475
出願日: 2004年06月02日
公開日(公表日): 2005年12月15日
要約:
【課題】良質な光電変換層を有し、感度が高く、且つ残像のない固体撮像素子、及び固体撮像システムを提供すること。【解決手段】Si基板に信号転送回路(図示せず)が形成された信号転送回路基板12(シリコン基板)上に、光電変換部14が設けられた固体撮像素子において、単層型の化合物半導体層からなる光電変換層20で光電変換部14を構成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
外部からの入射光により信号を生成する光電変換部と、
表面上に前記光電変換部が設けられると共に、前記光電変換部から生成した前記信号を読み出す信号転送回路が設けられた半導体基板と、
を有する固体撮像素子において、
前記光電変換部を構成する光電変換層は、化合物半導体層の単層構造で構成されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件):
H01L27/146
, H04N5/335
, H04N9/07
FI (4件):
H01L27/14 F
, H04N5/335 U
, H04N5/335 V
, H04N9/07 A
Fターム (40件):
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA11
, 4M118BA12
, 4M118BA13
, 4M118BA14
, 4M118CA05
, 4M118CA15
, 4M118CA19
, 4M118CB01
, 4M118CB02
, 4M118FB04
, 4M118FB06
, 4M118FB09
, 4M118FB11
, 4M118FB16
, 4M118FB18
, 4M118FB19
, 4M118FB24
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 5C024AX01
, 5C024CX17
, 5C024CX41
, 5C024DX01
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX02
, 5C024GX21
, 5C024GX22
, 5C024HX01
, 5C065BB42
, 5C065CC01
, 5C065DD01
, 5C065DD17
, 5C065EE06
, 5C065EE10
, 5C065EE11
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-297361
出願人:株式会社東芝
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-221822
出願人:株式会社東芝
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