特許
J-GLOBAL ID：200903087647507291

半導体単結晶引上げ用C/C製ルツボの製法

発明者：
久米将実

久米将実 について

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野竹 毅

野竹 毅 について

, 
田中義和

田中義和 について


出願人/特許権者：
日本カーボン株式会社

日本カーボン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329078
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158090
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】 C/C材を半導体単結晶引上げ装置の黒鉛ルツボに用いて大型化にも容易に対応できるC/C材の高温高強度特性を生かした構造と製法を提案する。【解決手段】 黒鉛ルツボを内外2重構造として高強度部材のC/C材を外側に等方性黒鉛材(CIP材)を内側としたもの又は直円筒部と曲面R部を含む底部に分割したC/C材で構成する。その製法においてハンドレイアップオートクレーブ法、フィラメントワインディング法により予備成形し、その後金型を用いてプレス成形する2段成形を包含する。そして、成形品を焼成し、更に緻密化工程についても、密封金属容器中に収容して加圧下焼成するか、ピツチガス富化雰囲気とすることにより、揮発ロス分を抑えて焼成収率を上げる工程を包含する。さらに、ルツボの外周面に熱分解黒鉛又は熱分解炭素をコートするか、C/C材のマトリックス部分をハードカーボンにするか、全体をセミグラファイト化(半黒鉛質化)する工程を包含する。
請求項（抜粋）：
ルツボを内外2重構造として、その内側に等方性黒鉛材(CIP材)を使用し、外側をC/Cコンポジットで構成した半導体単結晶引上げ用C/C製ルツボの製法。
IPC (4件)：
C30B 15/10 ,  C04B 35/83 ,  C04B 35/52 ,  C30B 29/06 502
FI (5件)：
C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 B ,  C04B 35/52 E ,  C04B 35/52 G ,  C04B 35/54 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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