特許

J-GLOBAL ID：200903087660775386

半導体装置の製造方法

発明者： 磯野 俊介 ,  山中 通成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036614
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247568
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】ホール形状(トップ、ボトム)の変形およびホールのトップの広がりを抑制することができ、所望のホール形状が得られる。【解決手段】半導体基板1上に層間絶縁膜3を形成する工程と、層間絶縁膜3上にレジストパターン4を形成する工程と、レジストパターン4をマスクとして層間絶縁膜3をドライエッチングする工程とを含み、ドライエッチングに用いるガスとして少なくともCF4ガス、CHF3ガス、N2ガス、不活性ガスの混合ガスを用い、かつ、ガスの総流量に対する炭素とフッ素を含むガス流量の合計の比が2%以上12%以下であり、ガスの総流量に対するN2ガス流量の比が5%以上20%以下である。これにより、ホール5形状の変形、およびホール5のトップ径の広がりを抑制することができ、ホールの抜け性を確保することでトップ及びボトムの形状とも角張りの無い所望のホール形状を得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記層間絶縁膜をドライエッチングする工程とを含み、前記ドライエッチングに用いるガスとして少なくともCF4ガス、CHF3ガス、N2ガス、不活性ガスを含む混合ガスを用い、かつ、ガスの総流量に対する炭素とフッ素を含むガス流量の合計の比が2%以上12%以下であり、ガスの総流量に対するN2ガス流量の比が5%以上20%以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/90 S

Fターム (25件)：

5F004AA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004EA01 ,  5F004EB03 ,  5F033NN32 ,  5F033NN33 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245656   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-196532   出願人：新日本製鐵株式会社