特許

J-GLOBAL ID：200903087670798465

誘電体光学薄膜の製造方法

発明者： 浅川 寿昭
出願人/特許権者： ミネベア株式会社
代理人 (3件)： 萼 経夫 ,  中村 壽夫 ,  宮崎 嘉夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271351
公開番号（公開出願番号）：特開2005-031462
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】 高い屈折率と高い光の透過性を兼備した誘電体光学薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 基板上に誘電体材料を成膜することからなる誘電体光学薄膜の製造方法において、成膜を水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で行うと共に、基板にアシストエネルギーを直接印加して水素ガスをイオン化し、誘電体材料が基板に付着して薄膜を形成する過程において、発生した水素イオンを誘電体材料の結晶成長が阻害されるように該誘電体材料に作用させる。これにより、誘電体光学薄膜の構造がアモルファス構造となり膜中散乱が低減して透過性が向上する。前記誘電体材料は好ましくは金属酸化物であり、前記混合ガスは好ましくは、酸素ガスと、水素ガスと酸素ガスとの合計量に基いて0.1〜2.0%の水素ガスとを含む。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上に誘電体材料を成膜することからなる誘電体光学薄膜の製造方法において、成膜を水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で行うと共に、基板にアシストエネルギーを直接印加して水素ガスをイオン化し、誘電体材料が基板に付着して薄膜を形成する過程において、発生した水素イオンを該誘電体材料に作用させることを特徴とする、誘電体光学薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

G02B5/28 ,  C23C14/08 ,  G02B1/11

FI (3件)：

G02B5/28 ,  C23C14/08 D ,  G02B1/10 A

Fターム (21件)：

2H048GA04 ,  2H048GA12 ,  2H048GA32 ,  2H048GA54 ,  2H048GA60 ,  2H048GA62 ,  2K009AA02 ,  2K009BB02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA48 ,  4K029BB10 ,  4K029BC08 ,  4K029BD00 ,  4K029CA00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電磁弁及びその電磁弁を備えたブレーキ制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280550   出願人：株式会社デンソー
• 酸化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-038608   出願人：工業技術院長, 凸版印刷株式会社, 野副尚一
• 光学薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-254616   出願人：株式会社昭和真空

審査官引用 (1件)

• 床洗浄機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-128245   出願人：石川島芝浦機械株式会社