特許
J-GLOBAL ID：200903087699796496
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
, 今村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219910
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054782
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】発光層の材料としてAlGaInN系の材料、特に、AlGaN系の材料を用いつつ、深紫外光の発光強度を高めるための要素技術を提供する。【解決手段】まず、サファイア面上にAlN層を成長する。このAlN層はNH3リッチな条件下で成長を行う。TMAlのパルス供給のシーケンスは、AlGaN層の成長を10秒間行った後に、NH3を除くために5秒の成長中断を行い、その後にTMAlを1sccm、5秒間導入した。その後は、再び5秒の成長中断を行った。以上のシーケンスを1周期として合計で5周期分だけ成長を行った。このように成長を行うことにより、Alがリッチの極性を持たせることができる。尚、上記シーケンスは例示であり、種々の変形が可能であるが、基本的に、成長中断と、Alソースの供給とを繰り返す工程により、Al極性を実現することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板に形成された第1のIII-V族層であって、III族リッチになる成長条件により形成された極性制御層と、該極性制御層上に形成された第1のIII-V族層と、を有することを特徴とする半導体構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F041AA11
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CB11
, 5F045AA04
, 5F045AA15
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AF09
, 5F045CA11
, 5F045DA53
, 5F045EE19
