特許
J-GLOBAL ID：200903087705217061
二重フィールド板構造を有する電力素子
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340595
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261066
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ゲート領域とソース領域からドリフト領域の一部分まで拡張される二重フィールド板構造を有するLDMOS (Lateral Double Diffused MOS)型電力素子を提供する。【解決手段】 二重フィールド板構造の電力素子は、動作の際、ソースフィールド板及びゲートフィールド板の下側にあるドリフト領域における空乏層はドレイン電圧、ソース及びゲートフィールド板間の層間絶縁膜、ゲート絶縁膜の厚さ及びゲート電圧などによって変わるが、ドリフト領域の中央よりは周縁部における空乏層がさらに大きくなることにより従来の電力素子より降伏電圧及びONー抵抗特性とが同時に改善される。本発明の電力素子は、印加したゲート電圧によりドリフト領域の中央における空乏層が低減し、結果的にキャリアが通過できる面積が増加されるためONー 抵抗はより低くなり、またドリフト領域の周縁部からの空乏層が増加することによりRESURF(Reduced Surface Field)効果を促進させて高い降伏電圧を維持する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の第1の導電型エピタキシャル層に、第2の導電型ドリフト領域と第1の導電型拡散層とが接して形成され、前記第2の導電型ドリフト領域にドレイン領域が形成され、第1の導電型拡散層にソース領域が形成され、前記ドリフト領域の中央部分にフィールド絶縁膜が形成され、前記第1の導電型拡散層上にゲート絶縁膜を介在したゲート電極が形成された、ソース/ドレイン電極を備えている電力素子において、前記ゲート電極がゲート領域からドリフト領域中心部の上側に沿ってフィールド絶縁膜の上側の一部まで横方向に延びて形成したゲートフィールド板構造を有し、前記ソース電極がソース領域からドリフト領域の上側の層間絶縁膜の一部分まで延びるソースフィールド板構造を有することを特徴とする電力素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/06
, H01L 29/78 301 X
