特許
J-GLOBAL ID：200903087714465051
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-118718
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312815
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 薄膜太陽電池を構成する各膜を分割する際の熱による盛り上がりや溶融だれ、さらには膜質の劣化を、膜分割のために照射するレーザを適切なものとすることにより抑制する。【解決手段】 絶縁性基板1上に形成した、下部電極層(金属膜)2、半導体接合層3および上部電極層(透明導電膜)4を、パルス幅が40ns以下となるように連続発振させたレーザビームL1、L2およびL3を照射することにより分割する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、短冊状に分割された薄膜からなる2以上の太陽電池ユニットを前記太陽電池ユニットが直列接続するように形成する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記絶縁性基板上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を短冊状に分割する工程と、前記金属膜上にカルコパライト構造半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、前記半導体膜上および前記半導体膜が分割され前記金属膜が露出している部分に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜を短冊状に分割する工程とを含み、前記金属膜、前記半導体膜および前記透明導電膜を、パルス幅が1〜40nsとなるように連続発振させたレーザを照射して分割することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
引用特許：
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