特許
J-GLOBAL ID：200903087718797245

アモルファスシリコン薄膜の成膜方法

発明者：
渡辺 征夫

渡辺 征夫 について

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白谷 正治

白谷 正治 について

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古閑 一憲

古閑 一憲 について


出願人/特許権者：
九州大学長

九州大学長 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105872
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299266
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 シラン放電プラズマ中のクラスタ量を激減させて優れた膜質を有するアモルファスシリコン薄膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 真空容器と、真空容器内に配置され、被成膜部材を保持する第1電極と、真空容器内に第1電極と対向して配置され、第1電極との対抗面に複数のガス排気部を有する第2電極と、真空容器の側壁に形成されたガス排気穴と、前記第2電極に接続された高周波電源と、原料ガス供給手段とを具備した成膜装置を用いて第1電極に保持された被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜するにあたり、第1電極を240〜260°Cの高温に加熱し、前記第2電極をこの第1電極より低い温度に維持することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内に配置され、被成膜部材を保持する第1電極と、前記真空容器内に前記第1電極と対向して配置され、その第1電極との対抗面に複数のガス排気部を有する第2電極と、前記真空容器の側壁に形成されたガス排気穴と、前記第2電極に接続された高周波電源と、原料ガス供給手段とを具備した成膜装置を用いて前記第1電極に保持された被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜するにあたり、前記第1電極に被成膜部材を保持する工程と、前記第1電極を240〜260°Cの高温に加熱し、前記第2電極をこの第1電極より低い温度に維持する工程と、前記真空容器内にシランガスを前記原料ガス供給手段により供給し、前記第2電極のガス排気部および前記真空容器のガス排気穴を通して前記真空容器内のガスを排気すると共に、前記高周波電源から高周波電力を前記第2電極に印加して前記第1、第2の電極間にシランガス放電プラズマを発生させることにより前記被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜する工程とを具備したことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 29/78 618 A
Fターム (47件)：
4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030KA17 ,  4K030KA22 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045AF01 ,  5F045AF07 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DQ04 ,  5F045EC05 ,  5F045EE12 ,  5F045EF15 ,  5F045EF20 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ05 ,  5F045EK07 ,  5F051CA07 ,  5F051CA16 ,  5F051CA24 ,  5F051CA34 ,  5F051CA36 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110GG60
引用特許：
出願人引用 (4件)
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