特許
J-GLOBAL ID:200903087740951070

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 敬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-295337
公開番号(公開出願番号):特開平8-153817
出願日: 1994年11月29日
公開日(公表日): 1996年06月11日
要約:
【要約】【目的】 高周波素子を搭載するパッケージのワイヤボンド工程を簡素化すると共に高周波特性の改善を図る。【構成】 放熱板1の表面に、半導体チップ2をダイボンドする為のダイボンドエリア(10)とワイヤボンディングする為のワイヤボンドエリア(11)とを形成し、ワイヤボンドエリア(11)を半導体チップ2の高さと同程度になるように突出させる。半導体チップ(2)のソース電極パッドとワイヤボンドエリア(11)とを、ワイヤ(6)でワイヤボンドし、ゲートとドレインは各々対応するリード(5)にワイヤボンドする。
請求項(抜粋):
放熱板を兼ねる導電性の基体と、該基体の上に固着した高周波半導体チップと、前記半導体チップの周囲を囲む絶縁性の基体と、前記絶縁性の基体の上に形成された外部接続用のリードと、前記半導体チップの電極パッドと前記外部接続リードとを接続する第1のボンディングワイヤと、前記半導体チップの電極パッドと前記導電性の基体とを接続する第2のボンディングワイヤとを具備し、前記導電性基体は前記半導体チップを固着するダイボンドエリアと前記第2のワイヤをボンディングするワイヤボンドエリアとを有し、前記ワイヤボンドエリアが前記半導体チップの高さとほぼ等しくなるように段付けされていることを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体素子用容器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-140512   出願人:山形日本電気株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-061353   出願人:三菱電機株式会社

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