特許
J-GLOBAL ID：200903087793747199
半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025597
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232061
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 発光点相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まりを低下させることがなく、放熱が悪くなることもなく、複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下に重ね、複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を所定の平面に揃えて各半導体レーザバーを相互にボンディングすることができる。所定の重ね方法としては、ストライプ側を下にしてy軸方向に上下に重ねる方法またはストライプ側が接着面となるようにy軸方向に上下に重ねる方法等を用いることができる。さらに、放熱を良くするために半導体レーザバーと半導体レーザバーとの間にサブマウント材を挟んだ構造を用いることができる。半導体レーザバーを相互にz軸方向へずらして実装することもできる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ装置の製造方法であって、複数個の半導体レーザバーを所定の重ね方法で上下に重ねる重ね工程と、上下に重ねられた複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を所定の平面に揃える工程と、へき開端面が所定の平面に揃えられた各半導体レーザバーを相互にボンディングする工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F073AB02
, 5F073BA02
, 5F073BA06
, 5F073DA32
, 5F073FA23
