特許
J-GLOBAL ID：200903034689151865
半導体レ-ザ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371458
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196203
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 1つの素子で2つの波長の光を発生することができる半導体レーザを得る。【解決手段】 別々の基板6、7上にダブルヘテロ接合や電流ブロック層等を含む発光部1、2を各々形成し、基板側同士を重ね合わせて熱処理することにより接合する。材料によって決まる発光波長を各発光部で任意に選択可能であり、各半導体層の成長も最適温度で行うことができる。各発光部の発光スポットを数10μmから約100μm以下の距離とすることができる。一方の発光部のダブルヘテロ接合にInGaP系材料又はInGaAlP系材料を用い、他方の発光部のダブルヘテロ接合にGaAs系材料又はAlGaAs系材料を用いることにより、650nm帯及び780帯の光を出射する半導体レーザが得られる。
請求項（抜粋）：
第1の基板上に第1の活性層を含む第1の発光部が設けられ、第2の基板上に第2の活性層を含み、該第1の発光部とは異なる波長の光を発生する第2の発光部が設けられ、基板側同士、発光部側同士、又は一方の基板側と他方の発光部側とを接合されてなる半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 680
, H01S 3/18 677
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073BA04
, 5F073CA04
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073EA04
