特許

J-GLOBAL ID：200903087824909249

CVDプロセスチャンバ用ガス分配システム

発明者： テツヤ イシカワ ,  パドマナブハン クリシュナラジュ ,  フェン ガオ ,  アラン ダブリュー. コリンズ ,  リリー エル. パン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357868
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291709
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板上に膜を堆積する装置及び基板上にFSG膜を堆積する方法の提供。【解決手段】 基板上に膜を堆積する装置は、プロセスチャンバと、チャンバ内に配置されている基板支持部材と、第1のガス入口と、第2のガス入口と、プラズマ発生器と、ガス排出部とを備え第1のガス入口は、チャンバの内部表面から第1の距離で、第1のガスを提供し、第2のガス入口が、チャンバの内部表面からの第1の距離より近い第2の距離で、第2のガスを提供する。よって、第2のガスはチャンバの内部表面の近くにより高い分圧を生成して、内部表面上への第1のガスからの堆積をかなり減少する。或いは、基板表面に対して、第1のガスが、第2のガスと異なる角度で導入される。

請求項（抜粋）：

堆積チャンバ内の基板上に膜を堆積する方法であって、基板を囲む複数の第1のノズルを介して、SiH4を含む第1のプロセスガスをチャンバ内に噴射するステップと、基板を囲む複数の第2のノズルを介して、酸素を含む第2のプロセスガスを、チャンバ内に噴射するステップとを備え、上記の第1のプロセスガスと上記の第2のプロセスガスとは、約1:1の体積による流量比で噴射される、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低誘電率膜用高堆積率レシピ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154646   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• HDP-CVD装置内の粒子特性を改善するシーズニングプロセスにおける酸素対シランの比の制御
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-180770   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド