特許

J-GLOBAL ID：200903095627627056

HDP-CVD装置内の粒子特性を改善するシーズニングプロセスにおける酸素対シランの比の制御

発明者： ジャンミン チャオ ,  チュー チャン ,  ダイアナ チャン ,  シスィー エス. ルーン ,  ターグト サヒン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180770
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067746
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 基板処理チャンバ内で堆積された膜に吸収される汚染物質(例えばフッ素)のレベルを低下させる改善された方法を提供する。【解決手段】 シーズニング層が基板処理チャンバ内に堆積され、チャンバ内面の内壁又は絶縁部分に吸収され得る汚染物質を覆う。堆積されたシーズニング層は先行技術のシーズニング層より基板処理チャンバの内部のセラミックの部分により良好に付着するので、チャンバ内に配置された基板に後で膜を堆積する際に、欠落又は剥離することが少ない。シーズニング層は、SiH4を1としたときのO2の流量比が1.4〜2.4である、O2とSiH4を含むガスからプラズマを形成することによって形成される。

請求項（抜粋）：

基板処理操作の前に、前記チャンバの内面の少なくとも一部分に酸化ケイ素膜を堆積するために、シランと酸素とを含むシーズニングガスを、シラン1に対する酸素の流量比を約1.4以上で、前記チャンバに導入するステップを有する基板処理チャンバを操作する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 静電チャック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220873   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜作製方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-064343   出願人：日電アネルバ株式会社
• ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-284992   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド