半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144176
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316345
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】半導体基板に不純物を注入して形成された埋め込み拡散層上に酸化膜を有する構造の半導体装置において、酸化膜を良質なものとすることができるようにする。【構成】フラッシュメモリセルは、シリコン基板10に形成された2つのコントロールゲート12a,12bおよび電子注入用ゲート13となるN型拡散層を有している。コントロールゲート12a,12bおよび電子注入用ゲート13上には、トンネル酸化膜14および絶縁用酸化膜15a,15bが、高温CVD酸化膜法によって堆積形成されている。トンネル酸化膜14および絶縁用酸化膜15a,15b上にはフローティングゲート16が形成されている。分離領域11a,11b間のシリコン基板10のフローティングゲート16を挟んで対向する位置にはソース領域およびドレイン領域が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物を注入して形成されたコントロールゲート用および電子注入用の埋め込み拡散層と、この埋め込み拡散層上を含む半導体基板上に高温化学的気相成長法により堆積形成された酸化膜と、この酸化膜上に形成されたフローティングゲートと、半導体基板の前記フローティングゲートを挟んで対向する位置に形成されたソース領域およびドレイン領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-173682 出願人：松下電工株式会社
特開昭62-089364
特開昭61-207077

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